<legend id="h4sia"></legend><samp id="h4sia"></samp>
<sup id="h4sia"></sup>
<mark id="h4sia"><del id="h4sia"></del></mark>

<p id="h4sia"><td id="h4sia"></td></p><track id="h4sia"></track>

<delect id="h4sia"></delect>
  • <input id="h4sia"><address id="h4sia"></address>

    <menuitem id="h4sia"></menuitem>

    1. <blockquote id="h4sia"><rt id="h4sia"></rt></blockquote>
      <wbr id="h4sia">
    2. <meter id="h4sia"></meter>

      <th id="h4sia"><center id="h4sia"><delect id="h4sia"></delect></center></th>
    3. <dl id="h4sia"></dl>
    4. <rp id="h4sia"><option id="h4sia"></option></rp>

        产品中心
        产品详情
        • 产品名称:SF-3分光干渉式晶圆膜厚仪Otsuka大塚

        • 产品厂商:Otsuka大塚
        • 产品价格:0
        • 折扣价格:0
        • 产品文档:
        你添加了1件商品 查看购物车
        简单介绍:
        SF-3分光干渉式晶圆膜厚仪Otsuka大塚SF-3分光干渉式晶圆膜厚仪Otsuka大塚SF-3分光干渉式晶圆膜厚仪Otsuka大塚
        详情介绍:

        分光干渉式晶圆膜厚仪 SF-3


        即时检测
        WAFER基板于研磨制程中的膜厚
        玻璃基板于减薄制程中的厚度变化
        (强酸环境中)


        产品特色

        非接触式、非破坏性光学式膜厚检测
        采用分光干涉法实现高度检测再现性
        可进行高速的即时研磨检测
        可穿越保护膜、观景窗等中间层的检测
        可对应长工作距离、且容易安装于产线或者设备中
        体积小、省空间、设备安装简易
        可对应线上检测的外部信号触发需求
        采用*适合膜厚检测的独自解析演算法。(已取得砖利)
        可自动进行膜厚分布制图(选配项目)

        规格式样


        SF-3

        膜厚测量范围

        0.1 μm ~ 1600 μm※1

        膜厚精度

        ±0.1% 以下

        重复精度

        0.001% 以下

        测量时间

        10msec 以下

        测量光源

        半导体光源

        测量口径

        Φ27μm※2

        WD

        3 mm ~ 200 mm

        测量时间

        10msec 以下

        ※1 随光谱仪种类不同,厚度测量范围不同
        ※2 *小Φ6μm

        产品留言
        标题
        联系人
        联系电话
        内容
        验证码
        点击换一张
        注:1.可以使用快捷键Alt+S或Ctrl+Enter发送信息!
        2.如有必要,请您留下您的详细联系方式!

        苏公网安备 32050502000409号