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SAMCO 平行平板型RIE装置 RIE-200C

RIE-200C 是一种盒式设备，用于大规模生产，基于 RIE-10NR 的经验，该设备具有丰富的平行平板 RIE 设备交付记录。
SAMCO氯系气体对应的负载锁定式RIE装置RIE-200NL

RIE-200NL 是一种负载锁定设备，基于 RIE-10NR 的经验，该设备具有丰富的平行平板 RIE 设备交付记录。
SAMCO 平行平板型RIE装置 RIE-10NR

RIE-10NR 是一种平行平板反应离子蚀刻（RIE）设备，用于各向异性加工各种硅薄膜，如 Si、Poly-Si、SiO_和 SiN。
SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-230iP

RIE-230iP 是一种负载锁定 ICP 蚀刻设备，采用电感耦合等离子体（工业层压 Plasma）作为放电形式，旨在高速加工各种材料的超精细。
SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-400iP

RIE-400iP 是 Max.4“ 晶圆的负载锁定蚀刻设备，用于各种半导体膜和绝缘膜的高精度、高均匀性。
SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-800iP

高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。该设备具有负载锁室，具有出色的工艺可重复性和稳定性。
SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-350iPC

RIE-350iPC 是一种 ICP 蚀刻设备，用于化合物半导体工艺的多片同时处理，在放电形式中采用电感耦合等离子体（工业堆叠 Plasma）
SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-100HiC

高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。无负载锁室的设备配置可实现低成本和节省空间，同时配备 2 个盒式磁带。
SAMCO ICP蚀刻装置 RIE-400iPC

高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。该装置是一种全面生产设备，具有真空盒室，具有优异的工艺可重复性和稳定性。它成为直径为 ±4 英寸的晶圆专用设备，可以安装在节省空间的地方。
SAMCO ICP 蚀刻设备 RIE-800iPC

高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。该装置是一种全面生产设备，具有真空盒室，具有优异的工艺可重复性和稳定性。
SAMCO ICP蚀刻装置 RIE-802iPC

高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。该装置具有两个反应室，提高了区域生产率，是一种具有出色工艺再现性和稳定性的正宗生产设备。
SAMCO用于研发的液体源 CVD® 设备

PD-100ST 是一种低温、高速等离子CVD设备，用于通过 TEOS 形成氧化硅膜（SiO+），用于液体材料。
SAMCO液体源 CVD® 设备

PD-330STC 是一种用于形成绝缘膜的等离子 CVD 设备，专为 TSV（Si 通孔）开发。
SAMCO量产用液体源 CVD® 设备 PD-270STLC

PD-270STLC 是一种低温、高速等离子 CVD 设备，用于通过 TEOS 形成氧化硅膜（SiO+），用于液体材料。
SAMCO液体源CVD设备 PD-200STL

PD-200STL 是一种高速等离子CVD设备，用于通过液体源形成氧化硅（SiO2）膜和氮化硅（SiN）膜。
SAMCO等离子体CVD装置 PD-3800L

小直径晶片多片处理用等离子体CVD装置