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产品详情
简单介绍：
RIE-350iPC 是一种 ICP 蚀刻设备，用于化合物半导体工艺的多片同时处理，在放电形式中采用电感耦合等离子体（ 工业堆叠 Plasma）
详情介绍：
概述
RIE-350iPC 是一种 ICP 蚀刻设备，用于化合物半导体工艺的多片同时处理，在放电形式中采用电感耦合等离子体（ 工业堆叠 Plasma）。 此设备支持 ±350mm 大型托盘。 它配备了新的 ICP 源 HSTC™（海珀系统三元组）电极，该电极是传统龙卷风 ICP 的开发，可在大面积上实现出色的均匀性蚀刻。
特点
• 支持 350mm 大托盘
可同时处理 3 个晶圆，× 4“×8 和 6”。
采用新的 ICP 源“HSTC™”
对于大面积，我们实现了出色的均匀性蚀刻。
应用示例
GaN 的垂直蚀刻和反向锥形蚀刻
・PSS （Patterned Sapphire Substrate） 加工
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