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        产品中心
        产品详情
        • 产品名称:线上365bet注册_36524总部电话_365数字含义 DNK科研曝光机MA-4301M光刻机

        • 产品厂商:DNK 科研
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        简单介绍:
        主要特长 利用本公司开创的高速图像处理技术, 实现了Wafer与掩膜的高精度对位。 装载机侧和卸载机侧*多可设置两个篮具(选购项)。 备有冷却机构,可进行基板台与掩膜的温度管理(选购项)。 搭载本公司开创的镜面光学系统爆光灯房(LAMP HOUSE)。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。 搭载非接触预对位系统(PREALIGNER)。从而实现了高精度进给且保证基板不受任何损伤。 搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。
        详情介绍:

        光刻机介绍

        曝光装置  MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ~ ø6″ 

        光源 超高压水银灯 :500W or 1kW

        曝光装置 MA-1400  基板追大尺寸400 x 400mm

        光源 超高压水银灯 :2kW or 3.5kW

        LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2~4″或者Ø4~6″

        光源 超高压汞灯:500W 或 1kW

        Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M   材料SI 玻璃, 对齐精度自动对齐:+/- 1 μm(
        峰值搜索)

        Ø300mm对应曝光装置MA-5301ML  光源超高压汞灯:3.5kW  Ø200mm规格也可对应

        マスクレス露光装置MX-1201 曝光扫描速度43.94mm/s  有效曝光区域200 x 200 追大曝光量(※3)245/70/245+70
        マスクレス露光装置MX-1201E  曝光扫描速度22.5mm/s  有效曝光区域200 x 200 追大曝光量(※3)460/70135

        マスクレス露光装置MX-1205  曝光扫描速度9/4.5mm/s  有效曝光区域100 x 100 追大曝光量(※3)100/50

        主要规格

        MA-4301M
        Wafer尺寸 材料 Si,Glass
        尺寸 Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm
        Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm
        节拍时间 Proximity exposure:19 s/wafer
        (One parallelism compensation per lot)
        对位精度 自动对位:+/- 1 μm
        (Peak search)
        间隙 1 to 200 μm Servo motor
        Setup resolution:1 μm
        曝光方式 Soft contact exposure
        Hard contact exposure
        Proximity exposure
        尺寸・重量 本体尺寸:W 1800 x D 1650 x H 2015 mm
        总重量(including lamp house):1400 kg

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