<legend id="h4sia"></legend><samp id="h4sia"></samp>
<sup id="h4sia"></sup>
<mark id="h4sia"><del id="h4sia"></del></mark>

<p id="h4sia"><td id="h4sia"></td></p><track id="h4sia"></track>

<delect id="h4sia"></delect>
  • <input id="h4sia"><address id="h4sia"></address>

    <menuitem id="h4sia"></menuitem>

    1. <blockquote id="h4sia"><rt id="h4sia"></rt></blockquote>
      <wbr id="h4sia">
    2. <meter id="h4sia"></meter>

      <th id="h4sia"><center id="h4sia"><delect id="h4sia"></delect></center></th>
    3. <dl id="h4sia"></dl>
    4. <rp id="h4sia"><option id="h4sia"></option></rp>

        产品中心
        所在位置: 首页> 产品目录> 大冢电子>
        产品详情
        • 产品名称:苏州代理OTSUKA光谱干涉晶片测厚仪SF-3

        • 产品厂商:其它品牌
        • 产品价格:0
        • 折扣价格:0
        • 产品文档:
        你添加了1件商品 查看购物车
        简单介绍:
        在晶圆等的研磨和抛光过程中,晶圆和树脂的厚度以超高速和高精度非接触式测量。
        详情介绍:
        特殊长度
        • 光学非接触和非破坏性厚度测量是可能的
        • 实现高测量再现性
        • 可以进行高速、实时的抛光监控
        • 实现长 WD(工作距离)并易于集成到设备中
        • 使用来自主机设备的 LAN 由 TCP / IP 通信控制
        • 可进行多层厚度测量
        • 可以测量每层临时晶圆(临时键合晶圆)的厚度。

        5个特点

        测量项目
        • 厚度测量(5层)

        采用
        • 各种晶圆(硅等复合晶圆)的厚度测量
        • 融入研磨、抛光、粘合等各种工艺
        • 晶片以外的厚膜构件的厚度测量

        并入半导体工艺的示例
        ■ CMP工艺

        ■ 临时粘合

        ■ 背磨

        ■ 湿法蚀刻

        规格

        SF-3 规格

        * 1:测量初始参考样品 AirGap 约 1000 μm 时的相对标准偏差 (n = 20)
        * 2:使用 WD80 mm 探头时的设计值

        设备配置

        选项

        ■ 150 mm 样品规格

        ■ 300 mm 样品规格

        ■ 共同特点

        • 对齐精细图案并提供晶圆厚度和各种厚度信息
        • 搭载高精度XY定位平台(2μm以下),实现高精度定位。
        • 兼容非晶圆形状
        • 您可以检查测量点周围的视野
        测量示例
        带有支撑晶圆的临时键合晶圆

        Φ300 mm硅片厚度测量

        产品留言
        标题
        联系人
        联系电话
        内容
        验证码
        点击换一张
        注:1.可以使用快捷键Alt+S或Ctrl+Enter发送信息!
        2.如有必要,请您留下您的详细联系方式!

        苏公网安备 32050502000409号