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产品名称：SAMCO ALD 设备 AL-1 原子层沉积设备
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简单介绍：

通过提供具有数十毫秒级良好沉积效率的脉冲，减少了原材料的损耗，提高了沉积效率。

详情介绍：

概述

AL-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂，仅利用表面反应进行成膜，实现了高薄膜厚度控制和良好的阶梯涂层性能。薄膜厚度可按原子层顺序控制。此外，高纵横比的孔内壁具有良好的覆盖性，可以均匀地沉积在薄膜厚度上。在有机金属材料中使用TMA和使用H_O作为反应剂的氧化铝（AlOx）膜，在350°C的沉积温度下具有7.5MV/cm的高击穿强度，可作为下一代功率器件的栅极高压膜应用。 • 4 英寸晶圆 × 可同时形成三个晶圆。

特点

通过提供具有数十毫秒级良好沉积效率
的脉冲，减少了原材料的损耗，提高了沉积效率。

与清洁真空
反应室内壁紧密接触的内壁加热器可抑制反应室内的温度不均匀性，从而获得清洁的真空。

无针孔的成膜
设计使多个原料气体不混合在反应室内，从而防止颗粒的产生，形成无针孔的膜。

应用示例

下一代功率器件的栅极氧化膜和钝化膜

在三维结构（如 MEMS）上均匀沉积

激光谐振器端面的沉积

碳纳米管保护膜

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产品名称：SAMCO ALD 设备 AL-1 原子层沉积设备

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